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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLML6402PBF
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IRLML6402PBF

更新时间： 2024-11-18 03:58:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLML6402PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

IRLML6402PBF 数据手册

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PD - 95060A  
IRLML6402PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l SOT-23 Footprint  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape and Reel  
l Fast Switching  
D
VDSS = -20V  
G
RDS(on) = 0.065Ω  
l Lead-Free  
S
Description  
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET®  
power MOSFETs are well known for, provides the designer with  
an extremely efficient and reliable device for use in battery and  
load management.  
Athermallyenhancedlargepadleadframehasbeenincorporated  
into the standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power  
MOSFET with the industry's smallest footprint. This package,  
dubbed the Micro3™, is ideal for applications where printed  
circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm)  
of the Micro3 allows it to fit easily into extremely thin application  
environments such as portable electronics and PCMCIA cards.  
The thermal resistance and power dissipation are the best  
available.  
Micro3™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-20  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-3.7  
-2.2  
A
-22  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
1.3  
W
Power Dissipation  
0.8  
Linear Derating Factor  
0.01  
W/°C  
mJ  
V
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
11  
VGS  
± 12  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
75  
100  
°C/W  
www.irf.com  
1
02/15/05  
12345678

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IRLML6402PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLML6402GPBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TRPBF INFINEON

功能相似

 Ultra Low On-Resistance
NTR4101PT1G ONSEMI

功能相似

 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23

与IRLML6402PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLML6402PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402PBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402TR INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLML6402TRPBF INFINEON

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRLML6402TRPBF TYSEMI

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
IRLML9301 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRLML9301PBF INFINEON

获取价格

 		Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRLML9301PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with existing Surface Mount Techniques

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