是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, MICRO-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.16 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 11 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLML6402PBF | INFINEON |
完全替代 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLML6402GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRLML6402PBF | TYSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape and Reel | |
IRLML6402PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques | |
IRLML6402PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques | |
IRLML6402TR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-20V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IRLML6402TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRLML6402TRPBF | TYSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |