5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLML6402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF PDF预览

IRLML6402GTRPBF

更新时间： 2024-11-18 12:58:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, LEAD FREE, MICRO-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLML6402GTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, MICRO-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.02
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：11 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLML6402GTRPBF 数据手册

 浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6402GTRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD- 93755  
IRLML6402  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l SOT-23 Footprint  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape and Reel  
l Fast Switching  
D
VDSS = -20V  
G
RDS(on) = 0.065Ω  
S
Description  
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET  
power MOSFETs are well known for, provides the designer with  
an extremely efficient and reliable device for use in battery and  
load management.  
Micro3  
Athermallyenhancedlargepadleadframehasbeenincorporated  
into the standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power  
MOSFET with the industry's smallest footprint. This package,  
dubbed the Micro3 , is ideal for applications where printed  
circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm)  
of the Micro3 allows it to fit easily into extremely thin application  
environments such as portable electronics and PCMCIA cards.  
The thermal resistance and power dissipation are the best  
available.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-20  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-3.7  
-2.2  
A
-22  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
1.3  
W
Power Dissipation  
0.8  
Linear Derating Factor  
0.01  
W/°C  
mJ  
V
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
11  
VGS  
± 12  
-55 to + 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
75  
100  
°C/W  
www.irf.com  
1
8/13/99  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRLML6402GTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLML6402TRPBF INFINEON

类似代替

 Ultra Low On-Resistance
IRLML6402GPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
IRLML6402PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与IRLML6402GTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLML6402PBF TYSEMI

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape and Reel
IRLML6402PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLML6402PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402PBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402TR INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLML6402TRPBF INFINEON

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRLML6402TRPBF TYSEMI

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
IRLML9301 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim

与IRLML6402GTRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证