是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, MICRO-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.02 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 11 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLML6402TRPBF | INFINEON |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLML6402PBF | TYSEMI |
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Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape and Reel | |
IRLML6402PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402PBF-1 | INFINEON |
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Compatible with Existing Surface Mount Techniques | |
IRLML6402PBF-1_15 | INFINEON |
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Compatible with Existing Surface Mount Techniques | |
IRLML6402TR | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402TR | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-20V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IRLML6402TRPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRLML6402TRPBF | TYSEMI |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLML6402TRPBF-1 | INFINEON |
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IRLML9301 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |