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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLML6401GPBF
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IRLML6401GPBF

更新时间： 2024-11-20 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRLML6401GPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, MICRO-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：33 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A最大漏极电流 (ID)：4.3 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLML6401GPBF 数据手册

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PD - 96160  
IRLML6401GPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l SOT-23 Footprint  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape and Reel  
l Fast Switching  
VDSS = -12V  
RDS(on) = 0.05Ω  
l 1.8V Gate Rated  
l Lead-Free  
l Halogen-Free  
Description  
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve extremely  
low on-resistance per silicon area. This benefit, combined  
with the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in battery and load management.  
Micro3™  
A thermally enhanced large pad leadframe has been  
incorporated into the standard SOT-23 package to produce  
a HEXFET Power MOSFET with the industry's smallest  
footprint. This package, dubbed the Micro3™, is ideal for  
applications where printed circuit board space is at a  
premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it  
to fit easily into extremely thin application environments  
suchasportableelectronicsandPCMCIAcards.Thethermal  
resistance and power dissipation are the best available.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-12  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-4.3  
-3.4  
A
-34  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
1.3  
W
Power Dissipation  
0.8  
Linear Derating Factor  
0.01  
W/°C  
mJ  
V
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
33  
VGS  
± 8.0  
-55 to + 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
75  
100  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/22/08  
12345678

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IRLML6401GPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape and Reel
IRLML6401PBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint
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 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
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 		漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.3A;栅极-源
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