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IRLML6401PBF-1_15

更新时间： 2024-11-21 01:20:35

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英飞凌 - INFINEON		/
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IRLML6401PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

-12

0.05

-4.3

(@T_A= 25°C)

Micro3™

Features

Benefits

Industry-standard pinout SOT-23 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Base Part Number

Package Type

Micro3 (SOT-23)

Orderable Part Number

Form

Quantity

3000

IRLML6401TRPbF-1

Tape and Reel

IRLML6402TRPbF-1

™

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-12

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-4.3

-3.4

-34

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.3

Power Dissipation

0.8

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Gate-to-Source Voltage

V_GS

± 8.0

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

100

°C/W

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October 28, 2014

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