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IRLML6401TR

更新时间： 2024-10-15 17:15:39

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	4829K
描述
漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.3A;栅极-源极阈值电压:950mV @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ@-4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.3W;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±8

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IRLML6401TR 数据手册

UMW

UMW IRLML6401

P-Channel Enhancement MOSFET

Typ

■ Features

SOT–23

● Ultra low on-resistance.

● P-Channel MOSFET.

● Fast switching.

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-12

Unit

Gate-Source Voltage

±8

-4.3

Continuous Drain Current VGS=4.5V @ T

=25℃

=70℃

-3.4

Continuous Drain Current VGS=4.5V@ T

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-34

1.3

@ TA=25℃

0.8

@ TA=70℃

Single Pulse Avalanche Energy

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Linera Derating Factor

thJA

100

℃/W

W/℃

0.01

150

Junction Temperature

℃

Junction and Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

Notes:

a.Repetitive Rating :Pulse width limited by maximum junction temperature

b.Starting T =25℃, L=3.5mH, R =25Ω, IAS=-4.3A

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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