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IRLML6402

更新时间： 2024-09-02 09:01:04

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SOT-23

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IRLML6402 数据手册

IRLML6402

P-Channel Power MOSFET

FEATURES

 V_DS=-20V,R_DS(ON)≤65mΩ@V_GS=-4.5V,I_D=-3.7A



Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Fast Switching

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-20

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-3.7

-2.2

-22

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.3

Power Dissipation

0.8

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Gate-to-Source Voltage

V_GS

± 12

-55 to + 150

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

100

°C/W

Electrical Characteristics @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

-20 ––– –––

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= -250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

––– -0.009 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= -1mA

––– 0.050 0.065

––– 0.080 0.135

-0.40 -0.55 -1.2

6.0 ––– –––

––– ––– -1.0

––– ––– -25

––– ––– -100

––– ––– 100

_GS= -4.5V, I_D= -3.7A

_GS= -2.5V, I_D= -3.1A

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

Ω

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= -250µA

V_DS= -10V, I_D= -3.7A

V_DS= -20V, V_GS= 0V

V_DS= -20V, V_GS= 0V, T_J= 70°C

V_GS= -12V

Forward Transconductance

I_DSS

Drain-to-Source Leakage Current

µA

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

I_GSS

V_GS= 12V

Q_g

––– 8.0

I_D= -3.7A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

––– 1.2 1.8

––– 2.8 4.2

––– 350 –––

––– 48 –––

––– 588 –––

––– 381 –––

––– 633 –––

––– 145 –––

––– 110 –––

nC V_DS= -10V

V_GS= -5.0V

V_DD= -10V

I_D= -3.7A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

R_G= 89Ω

R_D= 2.7Ω

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -10V

ƒ = 1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

1 / 6

E-mail:hkt@heketai.com

12 3 4 5 6

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