Datasheet > IRLML6402

IRLML6402

更新时间： 2024-11-18 18:10:03

品牌	Logo	应用领域
合科泰 - HOTTECH		/
页数	文件大小	规格书
6页	1437K
描述
SOT-23

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRLML6402 数据手册

IRLML6402

P-Channel Power MOSFET

FEATURES

 V_DS=-20V,R_DS(ON)≤65mΩ@V_GS=-4.5V,I_D=-3.7A



Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Fast Switching

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-20

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-3.7

-2.2

-22

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.3

Power Dissipation

0.8

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Gate-to-Source Voltage

V_GS

± 12

-55 to + 150

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

100

°C/W

Electrical Characteristics @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

-20 ––– –––

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= -250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

––– -0.009 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= -1mA

––– 0.050 0.065

––– 0.080 0.135

-0.40 -0.55 -1.2

6.0 ––– –––

––– ––– -1.0

––– ––– -25

––– ––– -100

––– ––– 100

_GS= -4.5V, I_D= -3.7A

_GS= -2.5V, I_D= -3.1A

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

Ω

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= -250µA

V_DS= -10V, I_D= -3.7A

V_DS= -20V, V_GS= 0V

V_DS= -20V, V_GS= 0V, T_J= 70°C

V_GS= -12V

Forward Transconductance

I_DSS

Drain-to-Source Leakage Current

µA

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

I_GSS

V_GS= 12V

Q_g

––– 8.0

I_D= -3.7A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

––– 1.2 1.8

––– 2.8 4.2

––– 350 –––

––– 48 –––

––– 588 –––

––– 381 –––

––– 633 –––

––– 145 –––

––– 110 –––

nC V_DS= -10V

V_GS= -5.0V

V_DD= -10V

I_D= -3.7A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

R_G= 89Ω

R_D= 2.7Ω

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -10V

ƒ = 1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

1 / 6

E-mail:hkt@heketai.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IRLML6402相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLML6402 (KRLML6402)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
IRLML6402(KRLML6402)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
IRLML6402GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLML6402GTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRLML6402PBF	TYSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape and Reel
IRLML6402PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLML6402PBF-1	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML6402TR	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLML6402TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C

与IRLML6402相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLML6402

IRLML6402 数据手册

与IRLML6402相关器件

与IRLML6402相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLML6402

IRLML6402 数据手册

与IRLML6402相关器件

与IRLML6402相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？