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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL8113SPBF
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IRL8113SPBF

更新时间： 2024-11-21 04:23:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 281K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRL8113SPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：105 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.006 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：420 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL8113SPBF 数据手册

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PD - 95582  
IRL8113PbF  
IRL8113SPbF  
IRL8113LPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l Lead-Free  
VDSS RDS(on) max  
Qg (Typ.)  
6.0m  
30V  
23nC  
Benefits  
l Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRL8113S  
TO-262  
IRL8113L  
TO-220AB  
IRL8113  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
30  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
105  
74  
420  
I
I
I
@ TC = 25°C  
A
D
D
@ TC = 100°C  
DM  
P
P
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
110  
57  
W
D
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.76  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.32  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Notes  through ‡ are on page 12  
www.irf.com  
1
07/20/04  
1234567...13

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IRL8113SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRL8113STRLPBF INFINEON

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 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL8113S INFINEON

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 		Optimized for UPS/Inverter Applications
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