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IRLB3036PBF

更新时间： 2024-09-26 05:39:31
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8页 285K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLB3036PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.12Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：290 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：270 A
最大漏极电流 (ID)：195 A最大漏源导通电阻：0.0024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：380 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLB3036PBF 数据手册

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PD - 97357  
IRLB3036PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l DC Motor Drive  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
VDSS  
60V  
RDS(on) typ.  
1.9mΩ  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
2.4m  
Ω
G
270A  
195A  
S
Benefits  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
TO-220AB  
IRLB3036PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
270  
190  
195  
1100  
380  
2.5  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
±16  
8.0  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
290  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
12/08/08  
12345678

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