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IRHYS593034CM

更新时间： 2024-11-18 03:10:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 201K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)

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IRHYS593034CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：134 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.087 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHYS593034CM 数据手册

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ꢁ
PD-96911  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)  
IRHYS597034CM  
60V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHYS597034CM 100K Rads (Si) 0.087Ω -20A  
IRHYS593034CM 300K Rads (Si) 0.087Ω -20A  
Low-Ohmic  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-20  
-13  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
-80  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
134  
mJ  
A
AS  
I
-20  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-4.9  
-55 to 150  
T
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
4.3 ( Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/07/05  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHYS593034CMPBF INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
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