5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHYS597Z30CMPBF
IRHYS597Z30CMPBF PDF预览

IRHYS597Z30CMPBF

更新时间： 2024-11-05 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHYS597Z30CMPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：R-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHYS597Z30CMPBF 数据手册

 浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHYS597Z30CMPBF的Datasheet PDF文件第7页 
                                                                         
ꢁ
PD-96899  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)  
IRHYS597Z30CM  
30V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHYS597Z30CM 100K Rads (Si) 0.072Ω -20A*  
IRHYS593Z30CM 300K Rads (Si) 0.072Ω -20A*  
Low-Ohmic  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-20*  
-18  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
-80  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
200  
mJ  
A
AS  
I
-20  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-1.84  
-55 to 150  
T
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
4.3 ( Typical )  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/21/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHYS597Z30CMPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHYS63130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYS63130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHYS63134CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYS63134CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHYS63134CMSCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 150V, 19A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257
IRHYS63230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYS63234CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYS67130C INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHYS67130CA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHYS67130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)

与IRHYS597Z30CMPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证