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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHYS597Z30CM
IRHYS597Z30CM PDF预览

IRHYS597Z30CM

更新时间： 2024-01-01 07:24:45
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 198K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)

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IRHYS597Z30CM 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-257AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHYS597Z30CM 数据手册

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ꢁ
PD-96899  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)  
IRHYS597Z30CM  
30V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHYS597Z30CM 100K Rads (Si) 0.072Ω -20A*  
IRHYS593Z30CM 300K Rads (Si) 0.072Ω -20A*  
Low-Ohmic  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-20*  
-18  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
-80  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
200  
mJ  
A
AS  
I
-20  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-1.84  
-55 to 150  
T
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
4.3 ( Typical )  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/21/04  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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