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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHQ53110PBF
IRHQ53110PBF PDF预览

IRHQ53110PBF

更新时间： 2024-09-23 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 122K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.31ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28

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IRHQ53110PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：47 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：4.6 A最大漏源导通电阻：0.31 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-CQCC-N28
元件数量：4端子数量：28
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18.4 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHQ53110PBF 数据手册

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PD - 94211A  
IRHQ57110  
100V, Quad N-CHANNEL  
RAD-Hard™ HEXFET®  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
TECHNOLOGY  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
R
5
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHQ57110 100K Rads (Si)  
IRHQ53110 300K Rads (Si)  
IRHQ54110 600K Rads (Si)  
0.27Ω  
0.27Ω  
0.27Ω  
4.6A  
4.6A  
4.6A  
4.6A  
IRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29Ω  
LCC-28  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET  
Technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a decade  
of proven performance and reliability in satellite applica-  
tions. These devices have been characterized for both  
Total Dose and Single Event Effects (SEE). The combina-  
tion of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC con-  
verters and motor control. These devices retain all of the  
well established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and tempera-  
ture stability of electrical parameters.  
Features:  
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
4.6  
D
GS  
C
A
I
D
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
2.9  
18.4  
12  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.1  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
47  
mJ  
A
AS  
I
4.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
1.2  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.1  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.89 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/01/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHQ53110SCV INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHQ54110 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28), 100V, Quad N-CHANNEL
IRHQ54110PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.31ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHQ563110 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)
IRHQ563110N INFINEON

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