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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHQ567110SCS
IRHQ567110SCS PDF预览

IRHQ567110SCS

更新时间： 2024-09-17 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.31ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28

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IRHQ567110SCS 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.6 A最大漏极电流 (ID)：4.6 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-CQCC-N28JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：28
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：12 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：18.4 A
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：122 ns
最大开启时间（吨）：44 nsBase Number Matches：1

IRHQ567110SCS 数据手册

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PD - 94057B  
IRHQ567110  
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL  
RAD-Hard™ HEXFET®  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
TECHNOLOGY  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
R
5
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27Ω  
IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29Ω  
ID  
CHANNEL  
4.6A  
4.6A  
-2.8A  
-2.8A  
N
N
P
P
IRHQ567110 100K Rads (Si)  
IRHQ563110 300K Rads (Si)  
0.96Ω  
0.98Ω  
LCC-28  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET  
Technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a decade  
of proven performance and reliability in satellite applica-  
tions. These devices have been characterized for both  
Total Dose and Single Event Effects (SEE). The combina-  
tion of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC con-  
verters and motor control. These devices retain all of the  
well established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and tempera-  
ture stability of electrical parameters.  
Features:  
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings ( Per Die)  
Parameter  
= ±12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
N-Channel  
4.6  
P-Channel  
-2.8  
Units  
I
@ V  
@ V  
D
GS  
A
I
= ±12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
2.9  
-1.8  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
18.4  
12  
-11.2  
12  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.1  
0.1  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current ➀  
±20  
±20  
GS  
E
47 ➀  
4.6  
70➀➀  
-2.8  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction  
1.2  
1.2  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.1 ➀  
7.1 ➀  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.89 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
07/25/01  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHQ567110SCV INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHQ57110 INFINEON

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IRHQ57110PBF INFINEON

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