Datasheet > IRHMS6S3260

IRHMS6S3260

更新时间： 2024-11-18 20:47:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	461K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRHMS6S3260 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	344 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	208 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
参考标准：	RH - 300K Rad(Si)	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	103 ns	最大开启时间（吨）：	100 ns
Base Number Matches：	1

IRHMS6S3260 数据手册

PD-97859

IRHMS6S7260

200V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

TECHNOLOGY

POWER MOSFET

THRU-HOLE (LOW OHMIC - TO-254AA)

Product Summary

Part Number

Radiation Level RDS(on)

I_D

IRHMS6S7260 100 kRads(Si)

45A*

0.029

IRHMS6S3260

300 kRads(Si)

Low-Ohmic

TO-254AA

Description

Features

 Low RDS(on)

 Fast Switching

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Ceramic Eyelets

 Electrically Isolated

 Light Weight

IR HiRel R6 S-line technology provides high performance

power MOSFETs for space applications. These devices

have been characterized for both Total Dose and Single

Event Effect (SEE) with useful performance up to LET of

60 (MeV/(mg/cm²). The combination of low RDS(on) and

low gate charge reduces the power losses in switching

applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, fast

switching, ease of paralleling and temperature stability of

electrical parameters.

 ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

45*

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

180

208

1.67

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

344

V_GS

E_AS

I_AR

20.8

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

5.4

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

Weight

*Current is limited by package

For footnotes refer to the page 2.

2017-01-30

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IRHMS6S3260相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHMS6S7160	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHMS6S7160SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHMS6S7260	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHMS6S7260SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS6S7264	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS6S7264SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS9A3064	INFINEON	获取价格	Rad hard, 60V, 45A, single, N-channel MOSFET, R9 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254A
IRHMS9A3064SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 60V, 45A, single, N-channel MOSFET, R9 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254A
IRHMS9A3264	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 45A, single, N-channel MOSFET, R9 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS9A7064	INFINEON	获取价格	Rad hard, 60V, 45A, single, N-channel MOSFET, R9 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254A

与IRHMS6S3260相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHMS6S3260

IRHMS6S3260 技术参数

IRHMS6S3260 数据手册

与IRHMS6S3260相关器件

与IRHMS6S3260相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHMS6S3260

IRHMS6S3260 技术参数

IRHMS6S3260 数据手册

与IRHMS6S3260相关器件

与IRHMS6S3260相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？