5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRFZ34N
IRFZ34N PDF预览

IRFZ34N

更新时间： 2024-11-20 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ34N 数据手册

 浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ34N的Datasheet PDF文件第7页 
PD - _____  
PRELIMINARY  
IRFZ34N  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.040Ω  
ID = 26A  
Fully Avalanche Rated  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial  
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low  
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, V GS @ 10V  
Continuous Drain Current, V GS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
26  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
18  
A
100  
56  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.37  
±20  
110  
16  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
5.6  
4.6  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
––––  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
0.50  
Max.  
2.7  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
––––  
62  
°C/W  
––––  
8/29/95  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRFZ34N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFZ34N INFINEON

功能相似

 汽车Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO
IRFZ34NPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
STP36NE06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

与IRFZ34N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ34NL INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET
IRFZ34NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NS INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSTRL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ34NSTRR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB
IRFZ34NSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		advanced process technology
IRFZ34PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRFZ34N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证