5秒后页面跳转
IRFZ34FX PDF预览

IRFZ34FX

更新时间: 2024-11-21 20:56:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

IRFZ34FX 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFZ34FX 数据手册

 浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ34FX的Datasheet PDF文件第7页 

与IRFZ34FX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ34L INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFZ34L VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFZ34LPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFZ34N INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
IRFZ34NL INFINEON

获取价格

HEXFET? Power MOSFET
IRFZ34NLPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NS INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSTRL ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB