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IRFW530ATM PDF预览

IRFW530ATM

更新时间： 2024-09-15 20:42:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 256K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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IRFW530ATM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：261 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFW530ATM 数据手册

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IRFW/I530A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.11  
ID = 14 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D2-PAK  
I2-PAK  
O
175 Operating Temperature  
C
2
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
Lower RDS(ON) : 0.092 (Typ.)  
W
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
14  
Units  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C)  
9.9  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
56  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
20  
2
261  
14  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
5.5  
6.5  
3.8  
55  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
*
)
Total Power Dissipation (TA=25  
C
C
O
PD  
Total Power Dissipation (T =25  
)
W
C
O
Linear Derating Factor  
0.36  
W/ C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
R q  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
2.74  
40  
JC  
O
Rq  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
C /W  
JA  
Rq  
62.5  
JA  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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IRFW530ATM 替代型号

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