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IRFW540A

更新时间： 2024-09-14 22:32:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 235K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRFW540A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：523 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFW540A 数据手册

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IRFW/I540A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.052 Ω  
ID = 28 A  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
n Improved Gate Charge  
n Extended Safe Operating Area  
n 175℃ Operating Temperature  
n Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V  
n Lower RDS(ON) : 0.041 Ω (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
28  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current (TC=25℃)  
Continuous Drain Current (TC=100℃)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
19.8  
110  
±20  
523  
28  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
①
A
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
②
①
①
③
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
10.7  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
*
Total Power Dissipation (TA=25℃)  
Total Power Dissipation (TC=25℃)  
Linear Derating Factor  
3.8  
PD  
107  
0.71  
W
W/℃  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
℃
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
1.4  
40  
RθJA  
RθJA  
*
℃/W  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B1  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
1234567

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与IRFW540A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFW540ATM ROCHESTER

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 		28A, 100V, 0.052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
IRFW540ATM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFW540ATM_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFW550A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
IRFW550ATM FAIRCHILD

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 		暂无描述
IRFW610A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB
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