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IRFW630BTM_FP001 PDF预览

IRFW630BTM_FP001

更新时间： 2024-11-06 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 738K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRFW630BTM_FP001 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：72 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFW630BTM_FP001 数据手册

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November 2013  
IRFW630B  
N-Channel MOSFET  
200 V, 9 A, 400 mΩ  
Features  
Description  
9.0 A, 200 V, RDS(on) = 400 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
•
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.This advanced technology  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for  
high efficiency switching DC/DC converters, switch  
mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply and motor control.  
ID = 4.5 A  
Low Gate Charge (Typ. 22 nC)  
Low Crss (Typ. 22 pF)  
•
•
•
100% Avalanche Tested  
D
D
G
G
D2-PAK  
S
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
IRFW630BTM_FP001  
Parameter  
Unit  
V
200  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
9.0  
A
A
5.7  
36  
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
± 30  
160  
9.0  
7.2  
5.5  
3.13  
72  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
Power Dissipation  
Power Dissipation  
(TA = 25°C)*  
W
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
0.57  
W/°C  
°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
300  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
IRFW630BTM_FP001  
Unit  
RJC  
1.74  
62.5  
40  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Min. Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
RJA  
www.fairchildsemi.com  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
IRFW630B Rev. C1  
1
12345678

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