是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.13 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFW620A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB | |
IRFW620ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IRFW620B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
IRFW624A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-263AB | |
IRFW624B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
IRFW624BTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IRFW630 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
IRFW630A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB | |
IRFW630B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
IRFW630B | KERSEMI |
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200V N-Channel MOSFET |