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IRFW540ATM_NL

更新时间： 2024-09-16 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 288K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRFW540ATM_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：523 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFW540ATM_NL 数据手册

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IRFW/I540A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.052 Ω  
ID = 28 A  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
n Improved Gate Charge  
n Extended Safe Operating Area  
n 175℃ Operating Temperature  
n Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V  
n Lower RDS(ON) : 0.041 Ω (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
28  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current (TC=25℃)  
Continuous Drain Current (TC=100℃)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
19.8  
110  
±20  
523  
28  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
①
A
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
②
①
①
③
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
10.7  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
*
Total Power Dissipation (TA=25℃)  
Total Power Dissipation (TC=25℃)  
Linear Derating Factor  
3.8  
PD  
107  
0.71  
W
W/℃  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
℃
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
1.4  
40  
RθJA  
RθJA  
*
℃/W  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B1  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
1234567...9

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