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IRFU9024N PDF预览

IRFU9024N

更新时间： 2024-09-09 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 119K
描述
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)

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IRFU9024N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：62 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFU9024N 数据手册

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PD - 9.1506  
IRFR/U9024N  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel  
D
VDSS = -55V  
l Surface Mount (IRFR9024N)  
l Straight Lead (IRFU9024N)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.175Ω  
G
ID = -11A  
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
I-Pa k  
D -Pa k  
T O -2 52 A A  
TO -2 5 1 AA  
The D-Pak is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-11  
-8  
A
-44  
38  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.30  
± 20  
62  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
-6.6  
3.8  
-10  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
6/26/97  
1234567...10

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IRFU9024N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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