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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 62 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9024NPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
|
| AUIRFU9024N | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU9024 | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9024NC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU9024NCPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFU9024NCPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFU9024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
|
| IRFU9024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-ORSISTANCE |
|
| IRFU9024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = |
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| IRFU9110 | INTERSIL |
获取价格 |
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU9110 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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