是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.6 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU9120N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRFU9120N | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRFU9120N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) | |
IRFU9120NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) | |
IRFU9120NPBF | KERSEMI |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFU9120PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU9120PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU9120PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFU9120TR | VISHAY |
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Transistor | |
IRFU9120TU | FAIRCHILD |
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Transistor |