是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.6 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU9121 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRFU9210 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU9210 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) | |
IRFU9210 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU9210N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFU9210PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) | |
IRFU9210PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU9210PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU9211 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA | |
IRFU9212 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |