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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120NPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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| IRFU9120 | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
|
| IRFU9120NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFU9120PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFU9120TR | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFU9120TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| IRFU9121 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU9210 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9210 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) |
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