IRFU9214PBF

更新时间： 2024-09-08 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	156K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU9214PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU9214PBF 数据手册

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• P-Channel

- 250

Available

• Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214)

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.1

6.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9214TRPbF^a

SiHFR9214T-E3^a

IRFR9214TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9214PbF

SiHFU9214-E3

IRFU9214

IRFR9214PbF

SiHFR9214-E3

IRFR9214

IRFR9214TRLPbF^a

SiHFR9214TL-E3^a

IRFR9214TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9214

SiHFR9214TL^a

SiHFR9214T^a

SiHFU9214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 250

V_GS

_C= 25 °C

- 2.7

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 1.7

- 11

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

100

- 2.7

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 27 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.7 A, dI/dt ≤ 600 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91282

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFU9214PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU9220	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFU9220	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A)
IRFU9220	INTERSIL	获取价格	3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFU9220	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9220PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9220PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9220PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFU9221	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9222	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRFU9214PBF相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

56
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

48
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

81
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

92

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9214PBF

IRFU9214PBF 技术参数

IRFU9214PBF 数据手册

与IRFU9214PBF相关器件

与IRFU9214PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9214PBF

IRFU9214PBF 技术参数

IRFU9214PBF 数据手册

与IRFU9214PBF相关器件

与IRFU9214PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？