是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.16 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.7 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 11 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU9220 | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating |
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IRFU9220 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
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IRFU9220 | INTERSIL |
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3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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IRFU9220 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRFU9220 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFU9220PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFU9220PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRFU9220PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
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IRFU9221 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRFU9222 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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