Datasheet > IRFU9220

IRFU9220

更新时间： 2024-09-14 11:09:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	2043K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU9220 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU9220 数据手册

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.5

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9220/SiHFR9220)

• Straight Lead (IRFUFU9220/SiHFU9220)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third Power MOSFETs technology is the key to Vishay

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of the Power MOSFETs

design achieve very low on-state resistance combined with

high transconductance and extreme device ruggedness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9220PbF

SiHFR9220-E3

IRFR9220

DPAK (TO-252)

IIRFR9220TRLPbF^a

SiHFR9220TL-E3^a

IRFR9220TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR9220TRRPbF^a

SiHFR9220TR-E3^a

IRFR9220TRR^a

SiHFR9220TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR9220TRPbF^a

SiHFR9220T-E3^a

IRFR9220TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9220PbF

SiHFU9220-E3

IRFU9220

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9220

SiHFR9220TL^a

SiHFR9220T^a

SiHFU9220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 3.6

- 2.3

- 14

0.33

0.020

310

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

- 3.6

4.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 35 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 3.9 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91283

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFU9220 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU9220PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRFU9220相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU9220PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9220PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9220PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFU9221	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9222	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9222	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9310	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFU9310	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9310	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU9310PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET

与IRFU9220相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

80
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

70
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

116

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9220

IRFU9220 技术参数

IRFU9220 数据手册

IRFU9220 替代型号

与IRFU9220相关器件

与IRFU9220相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9220

IRFU9220 技术参数

IRFU9220 数据手册

IRFU9220 替代型号

与IRFU9220相关器件

与IRFU9220相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？