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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU91109A | RENESAS |
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3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| IRFU9110PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9110PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9110PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU9111 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU9111 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU9120 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9120 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
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| IRFU9120 | INTERSIL |
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5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU9120 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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