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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9120 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
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| IRFU9120 | INTERSIL |
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5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU9120 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9120 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9120_R4941 | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| IRFU9120N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFU9120N | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFU9120N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
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| IRFU9120NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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