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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120PBF | VISHAY |
完全替代  |
Power MOSFET |
|
| IRFU9120 | INTERSIL |
功能相似 |
5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120_R4941 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFU9120N | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFU9120N | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU9120N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
|
| IRFU9120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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| IRFU9120NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFU9120PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFU9120TR | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
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