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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU9120 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
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| IRFU9120 | INTERSIL |
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5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFU9120 | VISHAY |
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Power MOSFET |
|
| IRFU9120 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9120_R4941 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFU9120N | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFU9120N | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFU9120N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
|
| IRFU9120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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