IRFU9024NPBF

更新时间： 2024-11-21 03:38:03

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11页	1385K
描述
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A )

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IRFU9024NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, IPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	62 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 95015A

IRFR9024NPbF

IRFU9024NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/14/04

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU9024N	INFINEON	类似代替	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)
IRFU9024PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU9024PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU9024PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9024PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) =
IRFU9110	INTERSIL	获取价格	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFU9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9110	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU9110	ROCHESTER	获取价格	3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU9110	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9110	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)