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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU91109A | RENESAS |
获取价格 |
3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| IRFU9110PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9110PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9110PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU9111 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU9111 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU9120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9120 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
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| IRFU9120 | INTERSIL |
获取价格 |
5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU9120 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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