IRFU9024PBF

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1973K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU9024PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.18	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.8 A	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU9024PBF 数据手册

IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Dynamic dV/dt Rating

- 60

• Repetitive Avalanche Rated

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

• Surface Mount (IRFR9024/SiHFR9024)

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

• Straight Lead (IRFU9024/SiHFU9024)

5.4

• Available in Tape and Reel

Q_gd(nC)

• P-Channel

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9024PbF

SiHFR9024-E3

IRFR9024

DPAK (TO-252)

IRFR9024TRPbF^a

SiHFR9024T-E3^a

IRFR9024TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR9024TRLPbF^a

SiHFR9024TL-E3^a

IRFR9024TRL^a

SiHFR9024TL^a

DPAK (TO-252)

IRFR9024TRRPbF^a

SiHFR9024TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRFU9024PbF

SiHFU9024-E3

IRFU9024

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9024

SiHFR9024T^a

SiHFU9024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 8.8

- 5.6

- 35

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

0.020

300

E_AS

I_AR

- 8.8

5.0

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 4.5

- 55 to + 150

260^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 8.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91278

S-81377-Rev. A, 30-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFU9024PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU9024NPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) =

与IRFU9024PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU9110	INTERSIL	获取价格	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFU9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU9110	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU9110	ROCHESTER	获取价格	3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU9110	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9110	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
IRFU91109A	RENESAS	获取价格	3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU9110PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU9110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFU9024PBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9024PBF

IRFU9024PBF 技术参数

IRFU9024PBF 数据手册

IRFU9024PBF 替代型号

与IRFU9024PBF相关器件

与IRFU9024PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU9024PBF

IRFU9024PBF 技术参数

IRFU9024PBF 数据手册

IRFU9024PBF 替代型号

与IRFU9024PBF相关器件

与IRFU9024PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？