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IRFU9110

更新时间： 2024-11-18 20:29:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 97K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,

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IRFU9110 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFU9110 数据手册

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IRFR9110, IRFU9110  
Data Sheet  
July 1999  
File Number 4001.3  
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power  
MOSFETs  
Features  
• 3.1A, 100V  
These are advanced power MOSFETs designed, tested, and  
guaranteed to withstand a specific level of energy in the  
avalanche breakdown mode of operation. These are  
P-Channel enhancement mode silicon gate power  
field-effect transistors designed for applications such as  
switching regulators, switching converters, motor drivers,  
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching  
transistors requiring high speed and low gate drive power.  
These types can be operated directly from integrated  
circuits.  
• r  
DS(ON)  
= 1.200Ω  
• Temperature Compensating PSPICE™ Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
Formerly developmental type TA17541.  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-252AA  
TO-251AA  
BRAND  
IF9110  
IF9110  
IRFR9110  
G
IRFU9110  
S
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e., IRFR91109A.  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
SOURCE  
DRAIN (FLANGE)  
DRAIN (FLANGE)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
IRFR9110, IRFU9110 Rev. A  
1234567

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与IRFU9110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFU91109A RENESAS

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 		3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU9110PBF KERSEMI

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 		Power MOSFET
IRFU9110PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFU9110PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFU9111 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFU9111 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFU9120 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFU9120 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A)
IRFU9120 INTERSIL

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 		5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFU9120 VISHAY

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 		Power MOSFET

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