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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 62 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
|
| IRFU9024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-ORSISTANCE |
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| IRFU9024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU9024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = |
|
| IRFU9110 | INTERSIL |
获取价格 |
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU9110 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9110 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9110 | ROCHESTER |
获取价格 |
3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
|
| IRFU9110 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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