IRFS23N20D

更新时间： 2024-11-23 22:51:39

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	199K
描述
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)

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IRFS23N20D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS23N20D 数据手册

PD- 93904A

IRFB23N20D

IRFS23N20D

SMPS MOSFET

IRFSL23N20D

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

200V

R_DS(on)max

I_D

24A

0.10Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRFB23N20D

IRFS23N20D

IRFSL23N20D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.8

Power Dissipation

170

Linear Derating Factor

1.1

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.3

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V input Forward Converter

Notes through ꢀ are on page 11

www.irf.com

4/26/00

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS23N20D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS31N20DTRLP	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS31N20DPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma
IRFS23N20DPBF	INFINEON	类似代替	SMPS MOSFET

与IRFS23N20D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS23N20DPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFS23N20DPBF_15	INFINEON	获取价格	High frequency DC-DC converters
IRFS23N20DTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFS23N20DTRLP	INFINEON	获取价格	High frequency DC-DC converters
IRFS23N20DTRRP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFS240	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 12.5A I(D) \| SOT-186VAR
IRFS240A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET (200V, 0.18ohm, 12.8A)
IRFS240B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFS240B_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS241	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 12.5A I(D) \| SOT-186VAR

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