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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-243AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS230 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS233 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS23N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) |
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| IRFS23N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFS23N15DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS23N15DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRFS23N15DTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS23N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A) |
|
| IRFS23N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFS23N20DPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
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