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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS233 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS23N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) |
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| IRFS23N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFS23N15DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS23N15DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| IRFS23N15DTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS23N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A) |
|
| IRFS23N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFS23N20DPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
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| IRFS23N20DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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