IRFP360

更新时间： 2024-02-01 18:37:09

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MegaMOS FET

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IRFP360 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	280 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP360 数据手册

MegaMOS^TMFET

IRFP 360 V_DSS= 400 V

I_D25= 23 A

R_DS(on)= 0.20 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Preliminarydata

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

400

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

I_D25

I_D100

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 100°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Fast switching times

M_d

Mountingtorque

1.13/10

Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Highcommutingdv/dtrating

Weight

Max lead temperature for soldering

300

°C

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Applications

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC choppers

• MotorControls

• Switch-modeandresonant-mode

• Uninterruptablepowersupplies(UPS)

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

400

V_GS(th)

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

• Space savings

• Highpowerdensity

• Easy to mount with 1 screw (isolated

mounting screw hole)

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 14A

0.20

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2%

This data reflects the objective technical specification and characterization data from engineering lots.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

95509A (4/95)

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IRFP360LC	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
IRFP360LC	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP360LC	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP360LCPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP360LCPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP360PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP360PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP362	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP3703	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0028ohm,
IRFP3703PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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