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IRFP360

更新时间： 2024-02-13 16:42:19
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威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 963K
描述
Power MOSFET

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IRFP360 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：TO-247AC, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP360 数据手册

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IRFP360, SiHFP360  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rated  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
400  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.20  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
210  
30  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
110  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole. It also provides greater creepage distance between  
pins to meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP360PbF  
SiHFP360-E3  
IRFP360  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP360  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
400  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
23  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
14  
92  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
2.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
1200  
23  
EAR  
28  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
280  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.0 mH, RG = 25 Ω, IAS = 23 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 23 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90292  
S-81377-Rev. A, 30-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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与IRFP360相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP360LC INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
IRFP360LC VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP360LC NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP360LCPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP360LCPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFP360PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP360PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP362 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP3703 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0028ohm,
IRFP3703PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET

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