是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.21 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.34 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP246 | INTERSIL |
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15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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IRFP247 | INTERSIL |
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15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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IRFP250 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET |
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IRFP250 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
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IRFP250 | INFINEON |
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N-Channel(Hexfet Transistors) |
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IRFP250 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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IRFP250 | IXYS |
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Standard Power MOSFET |
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IRFP250 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFP250A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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IRFP250B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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