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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP246 | INTERSIL |
获取价格 |
15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFP247 | INTERSIL |
获取价格 |
15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFP250 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET |
|
| IRFP250 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP250 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFP250 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET |
|
| IRFP250 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP250A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFP250B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
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