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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A | 最大漏源导通电阻： | 4.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.5 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9213 | ROCHESTER |
获取价格 |
1.3A, 150V, 4.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9220 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9220 | INTERSIL |
获取价格 |
-2.5A, -200V, 1.5 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFF9220 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFF9221 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9222 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9223 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9230 | INTERSIL |
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-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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