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IRFF9230

更新时间： 2024-02-04 14:41:28

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英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	330K
描述
-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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技术参数
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IRFF9230 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	1.68 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	180 ns
最大开启时间（吨）：	150 ns	Base Number Matches：	1

IRFF9230 数据手册

IRFF9230

Data Sheet

February 1999

File Number 2225.2

-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power

MOSFET

Features

• -4.0A, -200V

• r = 0.800Ω

This P-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld

effect transistor is an advanced power MOSFET designed,

tested, and guaranteed to withstand a speciﬁed level of

energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of

these power MOSFETs are designed for applications such

as switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

Symbol

Formerly developmental type TA17512.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRFF9230

TO-205AF

IRFF9230

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-205AF

DRAIN

(CASE)

SOURCE

GATE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

4-114

12 3 4 5 6 7

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与IRFF9230相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFF9230-2	VISHAY	TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose	获取价格
IRFF9231	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
IRFF9231	RENESAS	4A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
IRFF9231	ROCHESTER	4A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
IRFF9232	RENESAS	3.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
IRFF9233	RENESAS	3.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格