Datasheet > IRFG110

IRFG110

更新时间： 2024-11-20 11:09:35

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFG110 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	元件数量：	4
端子数量：	14	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFG110 数据手册

2N7334

IRFG110

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

N-CHANNEL

19.507 ± 0.432

(0.768 ± 0.017)

POWER MOSFETS

0.457 ± 0.102

2.134

(0.084)

(0.018 ± 0.004)

±100V

DSS

(cont)

Ω

0.7

(on)

FEATURES

• AVALANCHE ENERGY RATED

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

1.422 ± 0.102

(0.056 ± 0.004)

2.54

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• FOR AUTOMATIC INSERTION

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• EASE OF PARALLELING

(0.100)

14 LEAD MOULDED DIP PACKAGE

N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL

1—Drain 1 5—Gate 2 8—Drain 3 12—Gate 4

2—Source 1 6—Source 2 9—Source3 13—Source 4

3—Gate 1

7—Drain 2

10—Gate 3

14—Drain 4

• 4 N-CHANNEL CO-PACKAGED HEXFETS

• LIGHTWEIGHT

11,4—NC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_case= 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

±20V

1.A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

0.6A

case

Power Dissipation @ T = 25°C

case

1.4W

Linear Derating Factor

0.011W/°C

75mJ

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

5.5V/ns

–55 to 150°C

6.25°C/W

175°C/W

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

stg

θJC

θJCA

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 25V , L ≥ 112mH , R = 25Ω , Peak I = 1A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 1A , di/dt ≤ 75A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 24Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Document Number 5829

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

中文翻译

下载PDF

与IRFG110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFG110PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFG1Z0	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFG5110	INFINEON	获取价格	100V, Combination 2N-2P-CHANNEL
IRFG5210	INFINEON	获取价格	200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
IRFG6110	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRFG6110	SEME-LAB	获取价格	14 LEAD DUAL IN LINE QUAD
IRFG6110PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFG6113	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| COMPLEMENTARY \| 60V V(BR)DSS \| 850MA I(D) \| DIP
IRFG9110	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRFG9113	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 650MA I(D) \| DIP

与IRFG110相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFG110

IRFG110 技术参数

IRFG110 数据手册

与IRFG110相关器件

与IRFG110相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFG110

IRFG110 技术参数

IRFG110 数据手册

与IRFG110相关器件

与IRFG110相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？