5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFG110 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRFG110 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| IRFG110PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFG1Z0 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFG5110 | INFINEON |
获取价格 |
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL |
|
| IRFG5210 | INFINEON |
获取价格 |
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
|
| IRFG6110 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRFG6110 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| IRFG6110PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFG6113 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
