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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFG110 | INFINEON | POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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| IRFG110 | SEME-LAB | 14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
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| IRFG110PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFG1Z0 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFG5110 | INFINEON | 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL |
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| IRFG5210 | INFINEON | 200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
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