5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9232 | RENESAS |
获取价格 |
3.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF9233 | RENESAS |
获取价格 |
3.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF9233 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9233 | ROCHESTER |
获取价格 |
3.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFG110 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRFG110 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| IRFG110PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFG1Z0 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFG5110 | INFINEON |
获取价格 |
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL |
|
| IRFG5210 | INFINEON |
获取价格 |
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
