5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFG110 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRFG110 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| IRFG110PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFG1Z0 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFG5110 | INFINEON |
获取价格 |
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL |
|
| IRFG5210 | INFINEON |
获取价格 |
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
|
| IRFG6110 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRFG6110 | SEME-LAB |
获取价格 |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD |
|
| IRFG6110PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFG6113 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
